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    未來碳化硅革命性進展

    發布日期:2017-12-11 11:53:56 瀏覽次數:

             第三代半導體材料主要包括以氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶Ⅲ族氮化物、以碳化硅(SiC)為代表的寬禁帶Ⅳ族化合物以及寬禁帶氧化物,具備擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射能力強等優越性能,是固態光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”,在半導體照明、新一代移動通信、新能源并網、智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領域有廣闊的應用前景,正在成為全球半導體產業新的戰略高地。

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